云浮干式变压器基础元件-IGBT基础与运用知识

文章出处：http://yunfu.lcfywz.com   责任编辑：云浮变压器厂   发布时间：2019-04-27    点击数：415

云浮干式变压器元件IGBT基础与运用云浮干式变压器元件IGBT, 中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz 频率范围内. 理想等效云浮干式变压器电路与实际等效云浮干式变压器电路如图所示:

云浮干式变压器元件IGBT基础与运用云浮干式变压器元件IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性).

动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取:

云浮干式变压器元件IGBT的开通过程云浮干式变压器元件IGBT 在开通过程中,分为几段时间1.与MOSFET类似的开通过程,也是分为三段的充电时间2.只是在漏源DS电压下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间.

在上面的表格中,定义了了:开通时间Ton,上升时间Tr和Tr.i除了这两个时间以外,还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i云浮干式变压器元件IGBT在关断过程云浮干式变压器元件IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段.

第一段是按照云浮干式变压器基础元件MOS管关断的特性的第二段是在MOSFET关断后,PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放,造成漏极电流较长的尾部时间.

在上面的表格中,定义了了:关断时间Toff,下降时间Tf和Tf.i除了表格中以外,还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off).

漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之和又称为存储时间.

从下面图中可看出详细的栅极电流和栅极电压,CE电流和CE电压的关系:

从另外一张图中细看云浮干式变压器基础元件MOS管与云浮干式变压器元件IGBT管栅极特性可能更有一个清楚的概念:

开启过程关断过程尝试去计算云浮干式变压器元件IGBT的开启过程,主要http://dangxiong.lcfywz.com/是时间和门云浮干式变压器基础元件电阻的散热情况.

C.GE 栅极-发射极云浮干式变压器基础元件电容C.CE 集电极-发射极云浮干式变压器基础元件电容C.GC 门级-集电极云浮干式变压器基础元件电容(米勒云浮干式变压器基础元件电容)Cies = CGE + CGC 输入云浮干式变压器基础元件电容Cres = CGC 反向云浮干式变压器基础元件电容Coes = CGC + CCE 输出云浮干式变压器基础元件电容根据充电的详细过程,可以下图所示的过程进行分析对应的电流可简单用下图所示: